PN8370_2.4A充電器IC方案
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PN8370產品描述:
PN8370集成超低待機功耗準諧振原邊控製器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用於高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8370為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)
PN8370集成超低待機功耗準諧振原邊控製器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用於高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8370為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)
小於30mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術提高效率並消除音頻噪聲,使得係統滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使係統獲得較好的負載調整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的RCS電阻進行調節。該芯片提供了極為全麵的智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
PN8370產品特點:
內置650V高雪崩能力智能功率MOSFETyle="white-space:pre">
內置高壓啟動電路,小於30mW空載損耗(230VAC)yle="white-space:pre">
采用準諧振與多模式技術提高效率,滿足6級能效標準yle="white-space:pre">
全電壓輸入範圍±5%的CC/CV精度yle="white-space:pre"> 封裝/訂購信息
原邊反饋可省光耦和TL431yle="white-space:pre">
恒壓、恒流、輸出線補償外部可調yle="white-space:pre">
無需額外補償電容yle="white-space:pre">
無音頻噪聲yle="white-space:pre">
智能保護功能yle="white-space:pre">
過溫保護 (OTP)
VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
逐周期過流保護 (OCP)yle="white-space:pre">
CS開/短路保護 (CS O/SP)yle="white-space:pre">
開環保護 (OLP)yle="white-space:pre">
典型應用圖
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