當氮化镓遇上了USB PD普及，風口即將來臨！

　　GaN中文名氮化镓，是一種新型半導體材料，它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫等多種優點，被譽為第三代半導體材料，而將GaN氮化镓功率器件導入到充電器中，將會給體積帶來顯著變化，幫助到快充實現輕薄化、小型化，常見於USB PD快充等中高階產品中，可以在超小的體積上實現大功率輸出，改變行業設計製造方案、改變消費者使用習慣。

　　

　　據相關數據顯示統計，2019年，搭載USB Type-C接口的設備出貨量預計將達到20億台。其中USB Type-C在筆記本、台式電腦中的滲透率將達到80%，在智能手機和平板電腦等產品中的滲透率也將達到50%。未來，所有使用USB的設備皆有可能統一為Type-C，這一次，氮化镓遇上了USB PD普及，風口即將來臨。
 

　　

　　不過目前氮化镓充電器正從實驗室走向市場，麵臨著商用化的挑戰，價格極貴，後期將隨著市場需求量加速、大規模生產、工藝製程革新等，會逐漸走向平民化，而最終也將會取代傳統的矽基功率器件，在氮化镓充電器尚未普及之前，讓黄瓜AVAPP先了解下基於N8161+PN8307H的18W PD快充電源應用方案。

　　

　　PN8161內部集成了準諧振工作的電流模式控製器和功率MOSFET，專用於高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。

　　

　　PN8307H包括同步整流控製器及高雪崩能力功率MOSFET，用於在高性能AC/DC反激係統中替代次級整流肖特基黄瓜视频污污。
 

　　

　　18W PD快充方案亮點：　　

　　節省10顆以上外圍：無啟動電阻、無CS偵測網絡，原副邊均實現SOP8功率集成；　　

　　滿足CoC V5 Tier 2：專利高壓啟動，實現30mW待機功耗；工作曲線隨輸出電壓自適應，不同輸出電壓下平均效率裕量均大於4個點；　　

　　EMC性能卓越：抖頻幅度隨負載自適應，改善傳導；DCM/QR工作模式，避免次級整流管反向恢複問題，改善輻射；　　

　　3.3~12V寬輸出電壓範圍：PN8161/PN8307H供電範圍寬，無需額外LDO穩壓；　　

　　協議芯片任意搭：SSR架構，方案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。

　　

　　在參數方麵，18W PD快充充電器方案支持90~265Vac範圍的交流電壓輸入，擁有市電Brown in/out、輸出過壓保護、精準過溫保護、逐周期過流保護、次級整流管短路保護等，USB-C口支持最大18W輸出，輸出規格支持12V1.5A；9V2A；5V3A，滿足CoC V5-2，4個點裕量，可為手機、筆記本、遊戲機等設備匹配最佳充電電壓，如果需要產品的詳細手冊或其他資料，可向黄瓜AVAPP電子申請。>>