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pfc igbt 耐壓600V 30A SGT30T60SDM1P7替代STGW30M65DF2
所屬分類：IGBT
品牌：士蘭微
型號：SGT30T60SDM1P7
封裝：T0-247-3L
功率：600V
電流：30A
型號：SGT30T60SDM1P7
封裝：T0-247-3L
功率：600V
電流：30A
訂購熱線：0755-23087599
PFC IGBT是一種將MOSFET的高開關速度與雙極型晶體管的低通導損結合起來的半導體器件，通過降低從主電源中提取的輸入電流的諧波失真來提高交直流電源的效率，PFC IGBT 設備通常用於工業和消費電子應用中，以實現高效率和功率因數校正。
SGT30T60SDM1P7絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子第三代場截止(Field Stop IlI)工藝製作，具有較低的導通損耗和開關損耗，可兼容替換ST/意法STGW30M65DF2。
SGT30T60SDM1P7替代STGW30M65DF2特點
■ 低導通損耗
■ 快開關速度
■ 高輸入阻抗
■ 30A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=30A
pfc igbt SGT30T60SDM1P7極限參數（除非特殊說明，Tc=25℃）
| 參數 | 符號 | 參數範圍 | 單位 | |
| 集電極射極電壓 | VCE | 600 | V | |
| 柵極射極電壓 | VGE | ±20 | V | |
| 集電極電流 | Tc=25℃ | Ic | 60 | A |
| Tc=100℃ | 30 | |||
| 集電極脈衝電流 | IcM | 90 | A | |
|
黄瓜视频污污電流 Tc=25℃ Tc=100℃ |
IF | 60 | ||
| 30 | A | |||
| 短路維持時間(VGE=15V,Vcc=300V) | TSC | 10 | us | |
| 耗散功率(Tc=25℃) | PD | 230 | W | |
| 工作結溫範圍 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 貯存溫度範圍 | Tstg | -55~+150 | ℃ | |
STGW30M65DF2替代料SGT30T60SDM1P7，采用 T0-247-3L封裝，額定電壓：650V，額定電流：30A，最大導通電壓降：1.65V，電氣特性與ST/意法STGW30M65DF2基本上一致，可兼容替代，具有優異的開關特性和低導通電壓降，廣泛應用UPS，SMPS以及PFC等領域。
