PN8308H內置mos開關電源同步整流芯片

　　在過去同步整流都是同步整流控製器+外置同步TO-220封裝的N溝道MOS管來實現開關電源的同步整流，現采用通態電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流黄瓜视频污污以降低整流損耗的，如黄瓜AVAPP電子代理的PN8308H內置mos開關電源同步整流芯片。
 

　　

　　PN8308H內置mos同步整流芯片適用於輸出電壓9-15V的電源，內置80V智能功率MOSFET，具有如下特點：　　

　　易搭配原邊主控芯片： ns級速度關斷SR， 支持150kHz工作頻率，支持CCM/DCM/QR工作模式；　　

　　EMC性能卓越：獨特電流跟蹤技術顯著降低dV/dt，EMC特性優於肖特基；　　

　　可實現零外圍工作：Low side架構，單邊SW貼片封裝，方便PCB Layout；　　

　　全麵的智能保護功能：UVLO、防誤開啟、防誤關斷功能。
 

　　

　　PN8308H同步整流芯片包括同步整流控製器及N型功率MOSFET，內置電壓降極低的功率MOSFET，以提高電流輸出能力，提升轉換效率，使得係統效率可以滿足6級能效的標準，常用於在高性能AC/DC反激係統中替代次級整流肖特基黄瓜视频污污。

　　

　　PN8308H內置mos同步整流芯片電流跟蹤關斷技術內置高開關速度智能MOSFET，進一步加快關斷速度，通過內置Tonmin、Toffmin，增加SR開通限製條件等措施徹底避免SR誤開通造成的直通問題，內部集成了極為全麵的輔助功能，包含輸出欠壓保護、最小導通時間等功能，兼容全模式CCM，DCM和QR。
 

　　

　　PN8308H應用於9V/12V輸出適配器上大大減少了開關電源輸出端的整流損耗，從而提高轉換效率，可以提高整個AC-DC的整體效率並且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓，降低電源本身發熱，在中大功率等級的應用中能有特別明顯的區別。

　　

　　隨著DoE 六級能效及CoC V5 Tier 2的實施，同步整流取代肖特基已成為大勢所趨，PN8308內置mos開關電源同步整流芯片因外圍精簡、EMC性能卓越、支持任意工作模式、貼片封裝並無需散熱片，實現電源小型化，並降低係統成本，被廣泛應用於12V2A-12V3A六級能效適配器。