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PN8161內部集成了準諧振工作模式的電流模式控製器和功率MOSFET，專用於高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。
PN8161M該芯片提供了極為全麵和性能優異的保護功能，包括輸出過壓保護、逐周期過流保護、過載保護、軟啟動、輸入欠壓保護功能。
通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調製技術和特殊器件低功耗結構技術實現了超低的待機功耗、全電壓範圍下的最佳效率。頻率調製技術和Soft Driver技術充分保證良好的EMI表現。
PN8161M快充芯片封裝/訂購信息
PN8161M快充芯片管腳定義
| 管腳名 | 管腳標號 | 管腳功能描述 |
| GND | 1 | 地 |
| VDD | 2 | 工作電壓輸入引腳 |
| FB | 3 | 反饋輸入引腳 |
| DMG | 4 | 去磁引腳，通過電阻分壓采樣輸出電壓和輸入電壓 |
| SW | 5,6,7,8 | 高壓MOSFET漏極腳 |
PN8161M快充芯片特性
■ 內置690V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 準諧振工作
■ 最高開關頻率125kHz
■ 外圍精簡，無需啟動電阻及CS檢測電阻
■ 高低壓腳位兩側排列提高安全性
■ 內置高壓啟動，空載待機功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的頻率調製技術
■ 供電電壓9-38V，適合寬輸出電壓應用
■ 優異全麵的保護功能
■ 過溫保護
■ 輸出過壓保護
■ 輸入欠壓保護
■ 逐周期過流保護
■ 輸出開/短路保護
■ 次級整流管短路保護
■ 過負載保護
典型功率
| 封裝 | 輸入電壓 | 密閉式條件 |
| SOP8 | 90-265VAC | 18W |
PN8161M快充芯片典型電路
應用領域
■ 充電器
■ 適配器
■ 開放式開關電源
PN8161的M版本PN8161M，跟PN8161和PN8161-R1H 腳位一樣，但改善了紋波、聲音、 溫度也更低點，更多PN8161M產品手冊，原理圖，電源輸入輸出規格，BOM 表和變壓器參數以及安規和 EMI 測試數據等資料可向黄瓜AVAPP電子申請。>>
